《报告摘要》

β-氧化镓（β-Ga2O3）晶圆是一种超宽禁带半导体材料，以其4.9eV的禁带宽度、高击穿场强和优异的热稳定性而受到关注。这种材料在高压、高功率器件以及日盲紫外探测领域展现出巨大潜力。近期，β-氧化镓晶圆行业取得了显著进展，例如中国科大在氧化镓器件领域取得重大进展，浙大杭州科创中心成功制备2英寸氧化镓晶圆，以及铭镓半导体完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。这份研究报告由知漫咨询公司撰写，该公司拥有十余年行业研究经验，报告深入分析了β-氧化镓晶圆行业的定义、发展现状、竞争格局、政策环境、发展趋势及消费群体。它综合了行业内外的多维度信息，旨在为政府招商部门、投资机构和行业研究人员提供决策参考，具有较高的行业研究价值和实际应用指导意义。